δεν απαιτούν μεγάλα ρεύματα οδήγησης όπως οι αντίστοιχες διπολικές διατάξεις. Πρόκειται για τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) που λειτουργούν με τρόπο παρόμοιο με τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου επαφής (JFET). Η βασική τους διαφορά έναντι των JFET είναι ότι το
δυναμικό που ελέγχει τη λειτουργία τους (δυναμικό πύλης) εφαρμόζεται στην ενεργό περιοχή (κανάλι) διαμέσου ενός μονωτικού στρώματος από κατάλληλο οξείδιο αντί να εφαρμόζεται μέσω μιας p-n επαφής.
Τα MOSFET μπορούν να κατασκευαστούν τόσο μεμονωμένα (διακριτά τρανζίστορ) όσο και ως μέρη ενός ευρύτερου ολοκληρωμένου κυκλώματος. Η ενεργή περιοχή τους μπορεί να είναι ένα κανάλι p-τύπου οπότε το τρανζίστορ χαρακτηρίζεται και ως PMOS ή ένα κανάλι n-τύπου οπότε το τρανζίστορ χαρακτηρίζεται και ως NMOS. Το μεγάλο
πλεονέκτημα των δομών MOSFET είναι η πολύ μικρή ισχύς τους λόγω του μονωτικού στρώματος που παρεμβάλλεται μεταξύ πύλης και καναλιού.
Περισσότερα διαβάστε στο PDF αρχείο. Το μόνο που βρήκα σαν πηγή είναι το C.C.KATSIDIS
Παρακάτω δείτε ένα βίντεο πως λειτουργεί ένα Mosfet Transistor...